ITC系列薄膜沉积控制仪为薄膜沉积过程中膜厚精确实时测量而设计,可以用于监控热蒸发、磁控溅射、分子束外延(MBE)、PECVD、MOCVD等薄膜沉积过程中的膜厚。

随着纳米光电技术的发展,利用热蒸发器,制备先进的OLED、QLED、OPV、钙钛矿LED、光学镀膜等方面的需求越来越大。在这些器件中,每一层的厚度只有几埃到几百纳米,甚至有些层还会有2-4种材料的掺杂沉积,这就增加了用户控制每一层的组成材料和厚度的难度。使用ITC系列薄膜沉积控制仪,用户只需预先设定沉积参数,并控制ITC软件半自动或全自动的完成蒸发过程。

由于ITC系列薄膜沉积控制仪有卓越的厚度分辨率0.01 Å和速率分辨率0.001 Å/s,因此可以在x射线光电子能谱(XPS)和紫外光发射能谱(UPS)中精确监测原位制备的亚埃至埃级薄膜的沉积。以下是有机半导体界面研究的两个例子:CBP/MoO3 与 MoO3/CBP界面和MoO3/C60 与 MoO3/UGH3界面。可以看出,0.1nm的材料要准确无误地沉积到另一种材料上,对此,ITC系列设备无疑是一款可以用于进行表面和界面分析的很好的选择。


 

XPS光谱:CBP/MoO3 与 MoO3/CBP         UPS光谱:MoO3/C60 与 MoO3/UGH3

  

表面与界面分析

应用场景

薄膜沉积